El IRFB4229 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado por Infineon Technologies:
- Tensión de drenaje a fuente (VDS): 250 V.
- Resistencia de encendido (RDS(on)): 38 mΩ (con VGS = 10 V y ID = 26 A).
- Corriente continua máxima de drenaje (ID): 46 A a 25°C y 33 A a 100°C.
- Temperatura máxima de la unión (TJ): 175°C.
- Encapsulado: TO-220AB.
Este MOSFET es ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez, como sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores DC-DC.
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