Transistor DC-DC, -20V -4.0A, RTQ040P02 (AA135)

Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador – fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente – puerta: 12 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 12.2 nC
trⓘ – Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT6