El 2SK208-GR es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N fabricado por Toshiba Semiconductor and Storage. Aquí están algunos detalles clave sobre este componente:
- Voltaje de ruptura alto: Puede manejar hasta 50 V de tensión de drenaje a fuente (VGDS).
- Impedancia de entrada alta: Tiene una corriente de fuga de puerta a fuente (IGSS) de hasta 1.0 nA (máximo) cuando la tensión de puerta a fuente (VGS) es de -30 V.
- Bajo ruido: La figura de ruido (NF) es de aproximadamente 0.5 dB (típico) con una resistencia de puerta (RG) de 100 kΩ y una frecuencia de 120 Hz.
- Pequeño paquete: Viene en un encapsulado SC-59 (también conocido como SOT-23-3).
Este JFET es adecuado para aplicaciones generales, convertidores de impedancia y micrófonos de condensador. Si necesitas más detalles técnicos, puedes consultar la hoja de datos completa aquí.
Hoja de datos: 2SK208-GR
