El MOSFET F08S60SN es un rectificador STEALTH™ II de 8 A y 600 V con características de recuperación suave. Aquí tienes algunos detalles clave:
- Características de recuperación suave: El F08S60SN utiliza una construcción planar epitaxial implantada con pasivación de nitruro de silicio. Está diseñado para su uso como diodo de rueda libre o diodo de refuerzo en fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
- Conmutación de alta velocidad: Tiene un tiempo de recuperación inversa (trr) inferior a 25 ns a una corriente directa de 8 A.
- Alta fiabilidad y voltaje inverso: El dispositivo ofrece una alta confiabilidad y puede manejar tensiones inversas elevadas.
- Cumple con RoHS: Es compatible con la directiva RoHS (Restriction of Hazardous Substances) para sustancias peligrosas.
- Aplicaciones: Se utiliza en aplicaciones generales, fuentes de alimentación de modo conmutado y como diodo de refuerzo en correcciones de factor de potencia en modo continuo.
Otros números de parte similares incluyen el F08S60S de Thinki Semiconductor Co., Ltd., que es un diodo de recuperación rápida de montaje superficial de 8 amperios y 600 voltios12.
Hoja de datos: F08S60SN
