El MOSFET 11NM60ND es un dispositivo de potencia de tipo N con una estructura vertical de diseño especial. Aquí tienes algunas características clave:
- Voltaje drenaje-fuente (VDS): 600 V.
- Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 450 mΩ (máximo).
- Corriente de drenaje continua (ID): 10 A.
- Diodo de cuerpo de recuperación rápida: Este MOSFET incluye un diodo de cuerpo de recuperación rápida.
- Baja carga de compuerta y capacitancia de entrada: Esto ayuda a mejorar el rendimiento de conmutación.
- 100% probado contra avalancha: Garantiza una mayor robustez.
- Alta resistencia dv/dt: Adecuado para aplicaciones de conmutación.
Este MOSFET es ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS.
Hoja de datos: 11NM60ND
