El MOSFET IRFB4229 es un dispositivo de potencia StrongIRFET™ de canal N, diseñado por Infineon Technologies. Aquí tienes algunas características clave:
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 250 V.
- Resistencia drenador-fuente (RDS(on)): 46 mΩ (máximo).
- Potencia máxima disipada (Pd): 330 W.
- Optimizado para aplicaciones de baja frecuencia: El IRFB4229 es ideal para aplicaciones que requieren rendimiento y robustez en frecuencias por debajo de 100 kHz.
- Diodo de cuerpo suave: El diodo de cuerpo de este MOSFET tiene una recuperación más suave en comparación con generaciones anteriores de silicio.
- Paquete estándar de montaje a través de orificios: El paquete TO-220 permite una fácil sustitución en aplicaciones existentes.
Este MOSFET es adecuado para una variedad de aplicaciones, como sistemas de gestión de baterías, inversores, convertidores DC-DC y motores DC.
Hoja de datos: IRFB4019
