MOSFET N-CH, TO220 200V 9.8A, IRFI640GPBF (EE31)

$ 40.000

Disponibilidad: 10 disponibles

SKU: EE31-IRFI640GPBF Categoría:

Fabricante: Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH – SVHC:
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id – Corriente de drenaje continua: 9.8 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 180 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qg – Carga de puerta: 70 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 40 W
Modo canal: Enhancement

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