Name: MOSFET N-CH, 600V-0.37ohms FDMesh 10A, STF11NM60ND (EE17)
SKU: EE17-STF11NM60ND
Availability: InStock

Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id – Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente:	450 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente:	– 25 V, + 25 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg – Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	– 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp – Disipación de potencia :	90 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FDmesh
Serie:	STF11NM60ND

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