El MOSFET IRFB4019 es un dispositivo de potencia de tipo N optimizado para aplicaciones de baja frecuencia. Aquí tienes algunas características clave:
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 150 V.
- Resistencia drenador-fuente (RDS(on)): 95 mΩ (máximo).
- Corriente continua de drenaje (ID): 17 A.
- Optimizado para aplicaciones de baja frecuencia: El IRFB4019 es ideal para aplicaciones que requieren rendimiento y robustez en frecuencias por debajo de 100 kHz.
- Diodo de cuerpo suave: El diodo de cuerpo de este MOSFET tiene una recuperación más suave en comparación con generaciones anteriores de silicio.
- Alta temperatura de operación: Puede funcionar a una temperatura de unión de hasta 175°C, lo que lo hace resistente.
- Paquete estándar de montaje a través de orificios: El paquete TO-220 permite una fácil sustitución en aplicaciones existentes.
Este MOSFET es adecuado para una variedad de aplicaciones, como sistemas de gestión de baterías, inversores, convertidores DC-DC y motores DC
Hoja de datos: IRFB4019
