El diodo RRQ030P03 es un MOSFET P-Channel diseñado para aplicaciones de potencia. A continuación, te proporciono información relevante sobre este componente:
- Características Principales:
- Tipo P-Channel: El RRQ030P03 es un transistor MOSFET de canal P, lo que significa que permite el flujo de corriente desde el drenador hacia la fuente cuando está polarizado correctamente.
- Baja Resistencia en Estado de Conducción: Tiene una baja resistencia en estado de conducción (RDS(on)), lo que lo hace eficiente en aplicaciones de conmutación.
- Protección Integrada G-S: Viene con una protección diodo G-S (gate-source) incorporada.
- Encapsulado Superficie Pequeña (TSMT6): Su encapsulado TSMT6 es compacto y adecuado para montaje superficial.
- Especificaciones Máximas:
- Voltaje Drenador-Fuente (VDS): Soporta hasta -30 V en la dirección drenador-fuente.
- Corriente Continua de Drenaje (ID): Puede manejar hasta -3 A de corriente continua.
- Potencia Disipada (PD): Hasta 1.25 W.
- Temperatura Máxima de Unión (Tj): 150 °C.
- Aplicaciones:
- Los MOSFET P-Channel como el RRQ030P03 se utilizan en fuentes de alimentación, reguladores de voltaje, inversores, y otros circuitos de conmutación.
- Su baja resistencia en estado de conducción y protección integrada los hacen ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
Hoja de datos: RRQ030P03
