Hoja de datos:
Fabricante: IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-3P-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 250 V
Id – Corriente de drenaje continua: 82 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 35 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
Qg – Carga de puerta: 142 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 500 W
Modo canal: Enhancement
Serie: IXTQ82N25
