Hoja de datos: Aquí
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id – Corriente de drenaje continua: 65 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 24 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 30 V, + 30 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
Qg – Carga de puerta: 70 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia : 330 W
Modo canal: Enhancement
