Name: MOSFET, 200v 100mOhm, IRFB4020PBF (EE18)
SKU: EE18-IRFB4020PBF
Availability: InStock

Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id – Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente:	100 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Qg – Carga de puerta:	18 nC
Temperatura de trabajo mínima:	– 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp – Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement

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