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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Fabricante: onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 150 V
Id – Corriente de drenaje continua: 79 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 16 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qg – Carga de puerta: 107 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia : 310 W
Modo canal: Enhancement
