Transistor NPN de alto Voltaje 160V MMBT5551 “G1” (DD2)

Transistor MMBT5551 G1 bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.

Hoja de datos MMBT5551